삼성전자의 5세대 HBM(고대역폭 메모리) 제품 ‘샤인볼트’

[헤럴드경제=김성우 기자] 내년 전체 고대역폭 메모리(HBM) 비트 수요의 80% 이상을 5세대 제품인 HBM3E가 차지할 것이라는 전망이 제기됐다.

30일 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 삼성전자, SK하이닉스, 미국 마이크론은 각각 올해 상반기와 3분기에 HBM3E 12단 샘플을 고객사에 제출하고 현재 검증을 진행 중이다.

SK하이닉스는 최근 메모리 업체 중 가장 먼저 현존 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단 제품 양산에 돌입한 상태로, 연내 엔비디아에 제품을 공급한다는 구상이다.

트렌드포스는 "인공지능(AI) 플랫폼이 차세대 HBM 제품을 더 많이 채택함에 따라 내년에는 절반 이상이 HBM3E 12단 제품에서 (수요가) 발생할 것"이라며 "내년 하반기에는 HBM3E 8단에 이어 12단 제품이 주요 AI 경쟁업체들이 주문하는 주류 제품이 될 것"이라고 내다봤다.

업계에서는 엔비디아의 B200, GB200과 AMD의 MI325, MI350과 같은 주요 제품에서 HBM3E 12단이 채택될 것으로 관측중이다.

내년에는 HBM이 전체 D램 비트 생산량의 10%를 차지하고, D램 시장 수익에 대한 HBM 기여도는 30%를 초과할 것이라는 전망이다.

이에 따라 메모리 업체들이 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술인 실리콘관통전극(TSV) 공정의 캐파(생산능력) 확장을 계획하고 있다고 트렌드포스는 전했다.

트렌드포스에 따르면 삼성전자는 TSV 생산량을 올해 말 월 12만장에서 내년 말에는 40% 증가한 17만장으로 늘릴 예정이며, 같은 기간 SK하이닉스 역시 25%의 생산량 증가를 계획하고 있는 것으로 알려졌다.

이는 업체들이 TSV 공정을 활용하는 HBM 등 차세대 D램의 캐파를 더욱 늘리겠다는 의미로 풀이된다. 다만 메모리 업체들의 공격적인 캐파 확대에 따라 내년 HBM 공급 과잉에 대한 우려도 나온다.

트렌드포스는 "일부 D램 공급업체의 공격적인 TSV 공정 용량 확장이 내년 HBM 공급 과잉과 가격 하락으로 이어질 수 있다는 시장의 우려가 있다"며 "증설이 완전히 실현될 수 있을지는 제품의 성공적인 검증에 달려 있으며, HBM의 안정적인 수율 달성이 중요하다"고 말했다.