이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장. [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김현일 기자] SK하이닉스가 다양한 차세대 패키징 기술 개발로 커스텀(Custom·맞춤형) 제품 요구에 적기 대응해 고대역폭 메모리(HBM) 리더십을 지키겠다고 강조했다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 5일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 “SK하이닉스가 HBM 리더십을 지키려면 지속적으로 늘어나는 커스텀 제품 요구에 적기 대응하기 위해 다양한 차세대 패키징 기술을 개발하는 것이 중요하다”며 이같이 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 2019년 개발한 3세대 HBM2E에 처음으로 MR-MUF 기술을 적용했다. HBM2E는 SK하이닉스의 ‘HBM 성공신화’를 가능하게 만든 주역으로 꼽힌다.

MR-MUF는 칩과 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 효율적이고 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받는다.

이 부사장은 “HBM3 12단 제품부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에 방열 성능을 더욱 강화해야 했다”며 “특히 기존 MR-MUF 방식으로는 HBM3 12단 제품의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상을 다루기 쉽지 않았다”고 회상했다.

SK하이닉스는 이러한 한계를 극복하기 위해 기존 MR-MUF 기술보다 한층 개선된 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다. 어드밴스드 MR-MUF를 통해 기존 칩보다 40% 얇은 칩을 휘어지는 현상 없이 적층할 수 있었고, 신규 보호재로 방열 특성까지 강화했다.

SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF를 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했고 올 3월 세계 최고 성능의 HBM3E 양산을 시작했다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장. [SK하이닉스 제공]

이 부사장은 “이 기술은 하반기부터 AI 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있으며 활용 범위가 더 넓어져 SK하이닉스의 HBM 1등 기술력을 더 공고히 하는 데 힘이 돼 줄 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스 차세대 HBM 제품에선 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 적용을 모두 검토하고 있다.

하이브리드 본딩은 칩을 수직으로 쌓을 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 칩 전체 두께가 얇아지기 때문에 고단 적층이 가능한 것이 강점이다. 현재 업계에선 16단 이상의 HBM 제품부터 이 기술을 적용하는 것을 검토하고 있다.

이 부사장은 “표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다”며 “위아래 칩 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 여전히 해결해야 할 과제이지만 점점 더 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족할 솔루션”이라고 설명했다.

그러면서 “방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획”이라고 말했다.