삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 6기가비트(Gb) 모바일 D램 양산을 개시했다. 지난 3월 반도체 업계 최초로 컴퓨터용 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어 본격적인 ‘20나노 D램 시대’를 연 것.
이에 따라 삼성전자의 D램 주 생산공정도 25나노에서 20나노로 바뀔 전망이다. 삼성전자가 기술력을 통한 ‘D램 품질 경쟁’을 사실상 선언하고, 스마트폰 등의 실적 부진을 절대우위에 있는 D램 등 메모리 반도체로 만회하겠다는 전략을 세운 것으로 풀이된다.
18일 삼성전자에 따르면 이번에 양산을 개시한 20나노 6Gb LPDDR3 모바일 D램<사진>은 초소형 칩으로 미세 공정을 통해 더욱 작고 얇은 패키지는 물론 인터페이스 최고 속도인 초당 2133Mb로 데이터를 전송하면서도 소비전력을 더욱 낮췄다. 업계 최고 수준의 초박형ㆍ초소형ㆍ초고속’ 3기가바이트(GB) 솔루션을 제공한다고 삼성전자는 설명했다.
3GB 제품은 6Gb 모바일 D램 칩 4개를 하나의 패키지에 적층해 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)와 함께 POP(Package on Package) 형태로 고사양 스마트폰에 주로 탑재되는 제품으로, 삼성전자가 지난해 11월 업계 최초로 양산을 시작했다.
삼성전자 관계자는 “20나노 모바일 D램은 기존 양산 제품보다 생산성을 30% 이상 높였다”며 “하이엔드 스마트폰, 태블릿, 웨어러블 기기 등 빠르게 증가 중인 대용량 모바일 D램 시장을 선점할 수 있을 것”이라고 기대했다. 삼성전자는 20나노 모바일 D램 라인업(8ㆍ6ㆍ4기가)을 잇달아 출시할 계획이다.
이에 따라 삼성전자의 20나노 D램 생산제품의 비율은 크게 증가할 것으로 보인다. 업계에 따르면 현재 10%(이하 생산량 기준)에 약간 못 미치는 삼성전자의 20나노 D램 생산 비율은 내년에는 50%까지 늘고, 그 이후에는 과반수를 차지해 25나노 D램 비율을 역전할 것으로 예상된다.
삼성전자는 현재 25나노 D램만으로도 업계 최고 수준의 기술력을 자랑한다. 반도체 전자상거래 사이트 D램익스체인지에 따르면 메모리 반도체 세계 2위 SK하이닉스조차 현재 주 생산공정이 29나노로, 올해 4분기쯤에나 25나노 생산 제품의 비율을 70%로 늘릴 것으로 전망된다.
삼성전자의 이 같은 행보에 업계는 벌써부터 긴장하고 있다. 미세 공정 격차는 전력 소모량, 처리속도 등 품질, 성능에 따른 제품 경쟁력 차이로 어어지기 때문이다. 업계 관계자는 “삼성전자는 메모리 반도체 수익 확장을 통해 회사 전체 수익을 만회한다는 전략을 세웠겠지만, 다른 업체들은 이를 치킨게임으로 보고 대비할 수밖에 없다”고 말했다. 신상윤 기자/ken@