삼성전자는 이달부터 세계 최초로 차세대 ‘20나노(1나노ㆍ10억분의 1m) 4기가비트(Giga bit) DDR3(Double Data Rate 3) D램’을 본격 양산하기 시작했다고 11일 밝혔다. ‘20나노 D램’은 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 ‘25나노 D램’보다 30% 이상, ‘30나노급 D램’보다는 2배 이상 생산성이 높다. 또 ‘20나노 DDR3 D램 모듈’<사진>은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 정보통신(IT) 업체들에게 최고 수준의 ‘초절전 그린 IT 솔루션’을 제공한다. [사진제공=삼성전자]