• 업계 최대 용량 16Gb 구현…내년 본격공급
  2세대 보다 생산성 27%↑·전력소비 40%↓
  미세공정 한계 또 극복…메모리 기술력 입증

SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램 [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=천예선 기자] SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) D램을 개발했다. 작년 11월 2세대 10나노급(1y) D램을 개발한지 11개월 만이다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb(기가비트)를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량이 현존하는 D램 중 가장 크다. SK하이닉스는 연내 이 제품의 양산 준비를 완료해 내년부터 본격 공급한다는 계획이다.

SK하이닉스 21일 “3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb DDR4 D램을 개발했다”고 밝혔다. 이번 제품은 기존 2세대(1y) 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다. 전력 소비도 2세대 8Gb 동일 용량의 모듈보다 약 40% 줄였다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 3200Mbps 속도는 풀HD급 영화(3.7GB) 7편에 해당되는 25.6GB(기가바이트)의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 빠르기다. DDR은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로, 숫자가 올라갈수록 데이터 처리 속도가 기존 대비 2배씩 빨라진다.

특히 이번 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(전하를 저장할 수 있는 양)을 극대화했다. D램의 정전용량이 늘어나면 데이터의 유지시간과 정합도가 상승한다. 아울러 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다고 회사 측은 설명했다.

이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3(3세대 고대역폭 메모리) 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.

반도체 업계 관계자는 “지난 3월 삼성전자에 이어 이번에 SK하이닉스도 10나노급 3세대 미세공정을 개발하면서 국내 반도체 업체들의 기술력을 다시 한번 보여줬다”면서 “LPDDR5와 HBM3 등 초고성능을 요구하는 고객들의 수요에 적기 대응한다면 수익성 개선에도 많이 도움이 될 것으로 기대된다”고 말했다.

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