• M14 P2 내 낸드 생산라인을 D램으로 전환
  용인 클러스터 착공 늦어져 생산 계획 조율

[헤럴드경제=김지헌 기자] SK하이닉스가 최근 이천 공장의 낸드 플래시 라인을 D램 라인으로 전환하기로 했다. 용인 클러스터 착공이 수년간 지연되면서, 이에 따라 고객사 대응을 위해 내부 공장 생산 라인 조절이 필요했을 것이란 분석이 나온다.

14일 반도체 업계에 따르면 최근 SK하이닉스는 이천 M14 P2 내 낸드 생산라인을 D램으로 전환하는 안을 확정하고 직원들에게 통보했다. 회사와 직원들간 소통 자리에선 라인 이전에 따른 필수 인력 이동 가능성 등을 전한 것으로 알려졌다.

2015년 완공된 M14 공장은 복층 구조로 구성됐다. 1층은 전부 D램 생산라인이고 2층은 D램과 낸드 제조가 절반을 차지했다. 전환이 완료되면 이천에서는 D램과 이미지센서(CIS)를, 청주에선 낸드 생산을 각각 전담하게 된다.

M14 낸드라인의 D램 제조시설 전환은 용인 반도체 클러스터 신공장 착공이 지연되는 데 따른 것이란 설명이 나온다. 용인반도체클러스터 산업단지는 용인시 처인구 원삼면 독성·고당·죽능리 일원 415만㎡에 조성되는 차세대 반도체 메모리 생산기지다. 용인일반산업단지㈜가 사업비 약 1조7903억원을 투입해 부지를 조성하고, SK 하이닉스가 120조원을 투자해 SK하이닉스 단지(186만㎡, 팹 4기)를 조성하기로 했다.

SK하이닉스 반도체 제조 라인 모습[SK하이닉스 제공]

용인반도체클러스터는 2018년 1월 사업시행사가 용인시에 투자의향서를 접수하면서 시작됐다.

하지만 경기도로부터 산업단지 일반공급 물량을 받지 못해 무산 위기에 놓였었다. 민선 7기 출범 이후인 2018년 7월부터 용인시는 산업부 등 중앙부처와 협의를 진행, 이듬해인 2019년 3월 산업단지 특별물량을 배정받아 용인반도체클러스터 조성의 첫 단추를 뀄다. 당초 2021년 착공해 2024년 1기 공장 생산이 목표였지만 토지 매입 등 어려움으로 최근에야 용인시에 착공계가 제출됐다.

현재 업계에선 착공계 제출에도 불구하고 클러스터 착공이 올해 안에 이뤄지지 않을 수 있다는 관측도 제기된다. 설령 올해 클러스터 착공이 되더라도, 정작 중요한 반도체 공장 착공은 2025년에야 가능할 것이란 분석 역시 나온다. 이 경우 실제 공장 가동은 2027년에야 가능해진다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 7월 실적 발표 콘퍼런스콜(전화회의)에서 ‘용인 신공장 건설까지 신규 공장 부지가 없어 미세공정 전환에 어려움이 생길 수 있다’는 지적에 “메모리 수요의 급격한 증가 시 M14 낸드 라인이나 노후화된 M10을 활용하는 등 ‘백업 플랜’을 준비하고 있다”고 답한 바 있다. '백업 플랜'의 존재를 언급한지 약 10개월 만에 회사의 구상이 현실화됐단 분석이다.

올해 1분기 실적 발표에서도 노종원 사업총괄 사장은 "향후 몇 년간 시장 수요를 맞추기 위해 생산능력을 점진적으로 늘려가야 할 것으로 판단한다“고 말하며 재차 유휴부지 확보 필요성을 강조했다. 메모리 시장 규모는 꾸준히 커질 것이고, 극자외선(EUV) 등 최첨단 공정 도입에 따른 장비 대형화 추세로 필요한 유휴 공간 규모도 늘어날 것이라는 의미로 해석됐다.

업계 관계자는 “D램은 이천, 청주는 낸드로 이원화되는 등 생산라인은 오히려 기존보다 효율성이 높아지는 측면도 있어 보인다”고 말했다.