• SK하이닉스 ‘세미콘 타이완 2024’ 기조연설
  김주선 AI인프라 담당 사장 발표
  “HBM4, 로직 기술 적용하는 첫 제품 될 것”…TSMC와 협업 강조

김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장이 4일 대만 타이베이서 열린 세미콘 타이완 2024에서 기조연설을 하고 있다. [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제(타이베이)=김민지 기자] SK하이닉스가 AGI(범용인공지능) 시대 고효율·저전력 등 난제 해결을 위한 메모리 기술로 ‘AI 원팀’의 핵심 플레이어가 되겠다고 밝혔다. 이달 말 12단 HBM3E 양산을 시작하며, 6세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4도 고객사 로드맵에 따라 적기에 공급하겠다는 계획이다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 4일 대만 타이베이에서 열린 ‘세미콘 타이완 2024’에서 ‘AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다(Unleashing the possibilities of AI memory technology)’를 주제로 키노트를 진행했다. SK하이닉스가 세미콘 타이완에서 기조연설을 맡은 건 이번이 처음이다.

그는 “AI가 발전해 AGI(인공일반지능) 수준에 다다르기 위해서는 전력과 방열, 메모리 대역폭과 관련된 난제들을 해결해야 한다”며 “이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다”고 말했다.

이어 “이달 말부터 HBM3E(5세대) 12단 제품 양산에 돌입할 계획”이라며 “HBM4(6세대) 역시 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중”이라고 말했다.

김 사장은 “SK하이닉스 HBM4는 베이스 다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM이 될 것”이라며 “최고의 성능을 발휘하게 될 것”이라고 자신감을 보였다.

SK하이닉스는 TSMC와 협업해 HBM4 제품을 개발한다. HBM4 패키지의 최하단에 탑재되는 베이스 다이를 TSMC의 5나노 공정을 활용해 만드는 것이 핵심이다. HBM은 베이스 다이 위에 여러 개의 D램을 쌓아 올린 뒤, 이를 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM 성능을 컨트롤하는 역할을 한다.

김 사장은 SK그룹의 ‘AI 원팀’에서 핵심 플레이어가 되겠다며 다양한 파트너사들과 협력할 계획이라고도 밝혔다.

그는 “SK그룹은 AI 분야에서 글로벌 리더가 되기 위해 주요 AI 사업을 강화하는데 집중하고 있다”며 “반도체를 중심으로, 전력, 소프트웨어, 유리 기판과 액침 냉각 등 서로 상승 효과를 만들 수 있는 AI 인프라 구축에 나섰다”고 말했다.

이어 “누차 강조하듯 이 목표들은 협력하지 않는다면 달성할 수 없다”며 “ AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 원팀의 핵심 플레이어가 되도록 최선을 다하겠다”고 덧붙였다.

SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터·미국 인디애나 첨단 패키징 시설을 중심으로 한 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이다.

김 사장은 “부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터를 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것”이라며 “2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것”이라고 말했다.

한편, SK하이닉스는 일반 서버와 비교해 4배 이상의 메모리 용량이 필요한 AI 서버를 위해 TSV 기술 기반 256GB DIMM을 공급 중이다. 또한 QLC 기반 120TB 용량의 eSSD를 선보일 계획이다. 저전력에 탁월한 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다.

PCAMM, CXL, 512GB 고용량 DIMM 등 차세대 메모리 제품도 소개했다. 김 사장은 “최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰다”며 “혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다”고 말했다.