• ‘PEB110 E1.S’ 개발, 전력효율 30% 이상↑
  데이터센터 고객사와 인증작업 진행 중
  데이터센터 SSD 라인업 강화, 다양한 수요 대응

SK하이닉스 데이터센터용 SSD ‘PEB110’. [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김현일·김민지 기자] SK하이닉스가 전작보다 성능을 2배 키운 낸드 솔루션 제품 데이터센터용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) ‘PEB110 E1.S(이하 PEB110)’를 개발했다고 11일 밝혔다. 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이며 인증이 마무리되는 대로 내년 2분기부터 양산에 들어가 공급할 계획이다.

SK하이닉스는 “AI 시대가 본격화하면서 HBM 같은 초고속 D램은 물론 데이터센터용 SSD 수요도 커지고 있다”며 “이런 흐름에 맞춰 고속 입출력 인터페이스(PCIe) 5세대(Gen5) 규격을 적용해 데이터 처리 속도와 전력 효율을 개선한 신제품을 개발해 시장에 선보이게 됐다”고 설명했다.

신제품에 적용된 PCIe 5세대는 기존 4세대(Gen4)보다 대역폭이 2배로 넓어졌다. PEB110의 데이터 전송 속도도 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달한다. 이를 통해 PEB110은 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고, 전력 효율도 30% 이상 개선됐다.

SK하이닉스는 자사 데이터센터용 SSD 최초로 이번 제품에 정보보안 기능을 대폭 강화해주는 SPDM(Security Protocols and Data Model) 기술을 적용했다. SPDM은 서버 시스템 보호에 특화된 핵심 보안 솔루션이다. 서버의 안전한 인증과 모니터링을 지원한다.

최근 데이터센터를 겨냥한 사이버 공격이 늘어나는 가운데 SPDM이 탑재된 PEB110은 고객의 정보보안 요구에도 부합하는 제품이 될 것으로 회사는 보고 있다.

SK하이닉스 데이터센터용 SSD ‘PEB110’. [SK하이닉스 제공]

SK하이닉스는 이 제품을 2TB(테라바이트)·4TB·8TB 등 3가지 용량 버전으로 개발했다. 여러 글로벌 데이터센터에 적용 가능한 호환성을 높이기 위해 전 세계 데이터센터 기업들의 표준 협의체인 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP)의 2.5 버전 규격을 지원한다.

SK하이닉스는 현재 양산 중인 초고성능 데이터센터용 SSD ‘PS1010’에 이어 PEB110 개발로 다양해지는 고객 수요를 충족할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

안현 SK하이닉스 부사장(N-S Committee 담당)은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 당사 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 원가·성능·품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로 고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 향후 지속적으로 성장할 데이터센터용 SSD 시장에서도 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.

한편, 8인치 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 SK키파운드리도 이날 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상된 4세대 0.18㎛(마이크론미터) BCD 공정을 출시했다고 밝혔다.

이번 공정은 3.3V(볼트), 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자를 제공해 모바일·차량용 전력 반도체 등 여러 응용 분야 반도체 설계 고객사를 위한 맞춤형 솔루션을 공급한다.

자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격을 만족했다. 1만5000볼트(V) 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계도 가능하다.

SK키파운드리는 이번 4세대 공정이 ▷모바일 디바이스의 배터리 수명 연장 ▷낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현 ▷차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상을 통한 성능 향상 등에 기여할 것으로 기대하고 있다.

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