SK하이닉스, HBM3E 12단·321단 낸드 소개

SK하이닉스가 오는 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 메모리 반도체 행사 ‘FMS 2024’에 참가해 5세대 고대역폭 메모리(HBM3E) 12단 제품과 321단 낸드 샘플(사진) 등 차세대 인공지능(AI) 메모리 제품을 선보인다.

1일 SK하이닉스에 따르면 행사 첫 날인 6일 권언오 SK하이닉스 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전’을 주제로 기조연설을 진행한다.

권 부사장이 D램, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡아 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개할 예정이다.

전시 제품에는 올 3분기 양산 계획인 HBM3E 12단, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등이 포함됐다. SK하이닉스는 작년 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개한 바 있다. 김현일 기자

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