日 키옥시아, 삼성·SK 이어 美 어플라이드 첨단 반도체 R&D 시설 파트너 합류

[헤럴드경제=김현일 기자] 일본 낸드플래시 업체 키옥시아가 미국 실리콘밸리에 위치한 어플라이드 머티어리얼즈의 첨단 연구개발(R&D) 시설인 에픽센터(EPIC)에 파트너로 합류한다.

30일 어플라이드 머티어리얼즈(이하 어플라이드)에 따르면 키옥시아는 어플라이드와 손잡고 EPIC 센터에서 차세대 메모리 혁신을 위한 핵심 과제를 중심으로 R&D에 나선다.

어플라이드의 신규 EPIC 센터는 약 50억 달러 규모의 미국 내 역대 최대 첨단 반도체 장비 R&D 시설이다. 연내 가동 준비를 마치고 내년부터 혁신 기술의 상용화를 획기적으로 앞당기기 위한 R&D에 나설 예정이다.

어플라이드와 키옥시아는 첨단 메모리 셀 및 구조 형성, 멀티 칩 적층 아키텍처, 새로운 재료공학 접근법을 공동 연구해 AI 시대에 필요한 메모리 밀도와 성능을 높인다는 계획이다.

게리 디커슨 어플라이드 회장 겸 최고경영자(CEO)는 “AI 인프라에는 획기적으로 높은 밀도와 넓은 대역폭, 향상된 에너지 효율을 제공하는 메모리 설루션이 필요하다”며 “EPIC 센터에서 키옥시아의 깊은 메모리 기술 전문성과 어플라이드의 재료공학 혁신을 결합해 차세대 메모리의 가능성을 새롭게 정의할 강력한 파트너십을 구축하고 있다”고 밝혔다

오타 히로오 키옥시아 사장 겸 CEO는 “어플라이드와의 협력은 메모리 혁신을 이끌겠다는 양사의 공동 의지를 보여준다. EPIC 센터에서 첨단 기술 혁신을 함께 이뤄낼 수 있게 돼 기대된다”고 말했다.

양사는 이번 EPIC 센터 파트너십을 통해 제한된 폼팩터 안에서 메모리 밀도와 성능을 높이는 칩 집적 구현을 목표로 하고 있다.

적층 메모리를 위한 첨단 패키징 분야에서는 복잡한 멀티 다이 메모리 설루션의 집적도와 인터커넥트 성능 개선을 위해 협력하기로 했다. 아울러 대규모 양산성을 확보하면서 차세대 메모리 구조를 구현할 재료공학 혁신도 함께 모색할 계획이다.