차세대 64단 V낸드 솔루션 공개

삼성전자가 10일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2016(Flash Memory Summit)’에서 차세대 V낸드 솔루션을 전격 공개했다. 64단 V낸드 기술을 바탕으로 테라바이트급 저장 장치를 올해 말 선보인다.

삼성전자는 이번 플래시 메모리 서밋에서 4세대(64단) V낸드 기술을 바탕으로 3차원 메모리 기술 리더십을 공고히 하고, 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 ‘테라’ 시대를 주도해 나간다는 중장기 전략을 공개했다. ‘고용량, 고성능, 초소형’ 솔루션으로 IT 투자 효율을 극대화하겠다는 전략이다.

기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대(64단) V낸드, 고용량 서버용 32TB SAS SSD, 울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD, 하이엔드용 Z- SSD<사진> 등 속도와 용량에서 한층 진일보한 제품군이다.

‘4세대 V낸드’는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’을 기존(48단)보다 1.3배 더 쌓아 올리는 혁신적인 기술이 적용된 제품이다. 4세대 V낸드는 512Gb까지 구현 가능해 고용량 제품을 소형 패키지로 만들 수 있으며, 입출력 속도도 800Mbps까지 향상시켰다. 삼성전자는 세계 최초로 4세대 V낸드 기반 솔루션 제품을 올해 4분기에 출시할 예정이다.

경쟁사 대비 한 발 앞선 낸드 기술은 고용량 저장장치로 이어진다. 삼성전자는 4세대 V낸드를 탑재해 16TB인 기존 제품보다 용량을 2배 높인 세계 최대 용량의 ‘32TB 서버 SSD’를 내년 중 출시할 예정이다. 기존 HDD로 구성된 시스템(2 rack 기준)을 32TB SAS SSD로 대체할 경우 시스템의 물리적인 공간을 약 40분의 1로 줄일 수 있다. 삼성전자는 2020년까지 100TB이상 초고용량 SSD를 개발, 테라 SSD 대중화를 선도하고 데이터센터와 기업용 스토리지 SSD 시장을 지속 선점한다는 방침이다.

일반 소비자를 위한 제품도 고용량, 고속 저장장치로 무장한다. 삼성전자는 삼성전기와 고집적 패키지 기술(FO-PLP)을 공동 개발, 1센트 동전 크기의 초소형 ‘1TB BGA NVMe SSD’를 내년 중 출시할 예정이다. 연속 읽기속도는 기존 SSD보다 3배 빠른 1500MB/s이며, 고속 쓰기(Turbo Write) 기술을 적용해 쓰기 속도도 900MB/s까지 향상시켰다. 고해상도 Full HD급 영화 1편(5GB)을 약 3초에 전송하고, 약 6초에 저장할 수 있는 속도다. 이 제품은 기존 제품 대비 크기를 50% 이상 줄여 대용량 배터리 탑재 공간 확보 등 울트라 슬림 PC의 디자인 유연성 향상에 크게 기여할 것으로 기대된다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “고객들에게 4세대 V낸드 기반 고용량, 고성능, 초소형 솔루션을 제공해 스토리지 시스템의 TCO(Total Cost of Ownership) 절감 효과를 극대화할 수 있게 됐다”며 “향후 독보적인 V낸드 기술을 바탕으로 스토리지 사업 영역을 지속 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

최정호 기자/


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