美 IT매체인 BGR은 현지시간 27일, 중국 웨이보에 유출된 내용을 토대로 내년 초 선보일 삼성 갤럭시S8은 8GB 라는 초대용량 램과 10nm 미세공정 프로세서, 그리고 UFS2.1 플래시메모리를 내장할 것으로 보인다고 전했다.기존에도 6GB 용량의 램을 탑재한 스마트폰은 공개된 바 있지만, 8GB 라는 초대용량 램을 탑재한 제품은 없었다. 만약 예상대로 나온다면 삼성 갤럭시 S8은 세계 최초로 8GB 램 장착 스마트폰에 등극하게 된다.이와 관련해 내년께 선보일 마이크로소프트의 서피스폰이 8GB 램을 장착해 윈도우10에서 하던 작업을 스마트폰에서도 끊김없이 이어서 작업하게 해주는 '컨티넘' 기능을 지원한다는 소문은 나온 바 있다.하지만 초대용량 램에 대한 평가는 마냥 긍정적이지만은 않다. 스마트폰의 램 용량이 늘어나면 더 많은 데이터를 더 빨리 처리할 수 있겠지만 그와 더불어 배터리 소모도 더 많을 수 있기 때문이라는게 매체의 지적이다.10nm 미세공정 프로세서의 경우 내년께 대부분 스마트폰 제조사들이 전략적으로 선택하게 될 퀄컴 스냅드래곤 835를 뜻하는 것일 수 있다. 이와 함께 삼성이 개발중인 새 엑시노스 프로세서도 10나노 미세 공정으로 개발중이라는 소문이다.UFS 2.1 플래시 메모리 또한 기본보다 업그레이드된 항목임은 틀림없지만 이것을 적용한다고 해서 갤럭시S8이 갤럭시S7보다 얼마나 빠른 읽기 및 쓰기 속도를 가지게 될지는 미지수라고 매체는 전했다.삼성 갤럭시S8은 내년 2월 말 스페인 바르셀로나에서 열리는 MWC2017에서 공개될 것으로 점쳐지고 있지만, 또 다른 이야기로는 제품의 신뢰도를 높이기 위해 좀 더 시간을 두고 4월 중에 뉴욕에서 특별 발표를 통해 공개할 것이라는 이야기도 돌고 있다.BGR은 삼성이 갤럭시S8 역시 갤럭시S7과 동일하게 일반버전과 플러스 버전으로 출시할 것이라고 내다봤다. 갤럭시S8 플러스의 경우 더 큰 액정화면을 갖는 패블릿 스타일의 버전이다.


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