28나노, 14나노에 이어 8나노 RF 파운드리 인프라 구축

5G 통신용 RF 파운드리 시장 공략 본격화

진화된 기술로 ‘반도체 비전 2030’ 달성 박차

삼성전자의 차세대 8나노 RF칩 파운드리 공정이 적용되는 화성캠퍼스의 모습. [삼성전자 제공]
삼성전자의 차세대 8나노 RF칩 파운드리 공정이 적용되는 화성캠퍼스의 모습. [삼성전자 제공]

삼성전자가 5세대 이동통신(5G)의 핵심 반도체인 무선통신(RF: Radio Frequency)칩과 관련 차세대 8나노미터(1nm=10억분의 1m) 공정 기술을 개발하고, 이에 대한 파운드리(반도체 위탁생산) 서비스를 시작한다고 9일 밝혔다.

새로운 공정 기술을 통해 급성장하는 5G 반도체 시장을 적극 공략하겠다는 승부수로 해석된다.▶관련기사 13면

RF칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선 주파수로 바꿔주고, 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선 주파수 송수신 반도체를 말한다.

삼성전자는 지난 2015년 28나노 RF 공정 파운드리 서비스를 시작한 후, 2017년 14나노 RF칩 공정에서는 업계 최초로 양산을 시작한 바 있다. 2017년부터 현재까지 5억개 이상의 모바일 RF칩을 출하했다.

이번 차세대 공정을 통해 삼성전자는 기존 ‘멀티 채널·멀티 안테나’로 구성되던 5G 통신용 RF 칩을 ‘원칩 솔루션’으로 제공한다. 이를 통해 5G의 통신 대역인 서브 6GHz부터 밀리미터파(mmWave)까지 관련 반도체 수요를 맞출 수 있게 됐다.

삼성전자는 자체 개발한 새로운 RF 전용 소자를 적용해 적은 전력을 사용하면서도 신호를 증폭하는 등 성능을 크게 개선했다.

삼성전자는 “공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 8나노 기반 RF칩 파운드리 공정을 통해 소형·저전력·고품질 통신의 장점을 갖춰 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 것”이라며 “초미세 공정 기술력, 안정적인 양산 체제, 파운드리 생태계 확대 등을 통해 ‘반도체 비전 2030’ 달성에 박차를 가할 계획”이라고 밝혔다.

양대근 기자