실리콘밸리 ‘핫칩스’ 나란히 발표

삼성전자, 베이스다이 역량 강조

SK하이닉스, 첨단 패키징 공개

삼성전자와 SK하이닉스가 다음 달 미국 실리콘밸리에서 열리는 고성능 반도체 학회 ‘핫 칩스(Hot Chip)’에서 고대역폭메모리(HBM)에 대해 발표한다. 양사가 집중하고 있는 HBM 최신 기술 트렌드에 대해 설명할 예정이다.

3일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 오는 23일부터 25일까지 미국 스탠포드대에서 열리는 핫칩스에 참석해 첫날 튜토리얼 발표를 진행한다. 인공지능(AI) 반도체에서 메모리 기술 중요성이 높아짐에 따라 두 회사가 HBM에 대해 설명하는 세션을 갖는다.

1989년부터 시작된 핫 칩스는 매년 8월 미국 실리콘밸리에서 개최돼 왔다. 차세대 반도체 기술이 공개되는 학회로 실제 제품과 실현 가능한 기술에 중점을 두고 있다. 반도체 업계 핵심 기업도 대거 참석한다. 올해도 엔비디아를 비롯 브로드컴, 마이크론, 인텔, AMD, Arm, 인피니언 등이 발표를 진행한다. AI 투자에 한창인 구글과 메타, 마이크로소프트, 오픈AI 등도 연사로 나선다.

삼성전자는 파운드리와 연계한 HBM 베이스 다이 기술에 대해 발표한다. 한상욱 삼성전자 PL이 로직 공정을 활용한 향후 HBM 진화 방향성에 대해 설명한다. 한 PL은 HBM4·4E·5 베이스 다이 설계팀을 이끌고 있다.

삼성전자는 6세대 HBM4부터 기존 메모리 공정 대신 삼성 파운드리 4나노 4세대 공정을 도입해 HBM의 성능과 전력 효율을 끌어올렸다. 베이스 다이는 코어 다이 하부에 위치해 CPU(중앙처리장치)·GPU(그래픽처리장치) 등 외부 프로세서와 HBM 간 데이터를 연결하는 역할을 한다.

SK하이닉스는 이 행사에서 HBM 첨단 패키징 기술에 대해 설명할 예정이다. 패키지 엔지니어링을 담당하는 이재식 SK하이닉스 아메리카 부사장이 발표를 맡는다. 이 부사장은 엔비디아·퀄컴·구글·메타 등을 거쳐 2023년 SK하이닉스에 합류했다.

D램을 겹겹이 쌓는 HBM은 패키징 기술 중요성이 높다. SK하이닉스는 지난달 주요 고객사에 7세대 HBM4E 12단 샘플을 공급했는데, 여기에도 회사만의 어드밴드스 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정이 적용됐다.

SK하이닉스는 16단 이상 HBM 시대에 준비하기 위해 하이브리드 본딩 방식도 검토하고 있다. 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 구리와 구리를 직접 접합시키는 기술로 이를 통해 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해진다.

한편, 삼성전자는 이번 핫칩스에서 차세대 메모리 기술에 대해 AI 추론을 위한 저전력 D램인 ‘LPDDR5X-PIM’ 기술에 대해 소개한다. 세계 최초 LPDDR 기반 PIM(프로세싱 인 메모리) 설루션으로 메모리 내부에 연산 기능을 직접 탑재한 게 특징이다. PIM을 활용하면 메모리가 직접 단순 연산을 처리해 병목을 줄이고 전력 효율을 높인다. 삼성은 ‘넥스트 HBM’이라고도 불리는 CXL(Compute Express Link)에 관한 발표도 진행한다. 이정완 기자


jeongwan@heraldcorp.com