［헤럴드경제=신상윤 기자］메모리 반도체 업체 HGST는 6~7일(현지시간) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘2014 플래시 메모리 서밋(2014 Flash Memory Summit)’ 행사에서 새로운 솔리드스테이트드라이브(SSD)용 아키텍처를 공개했다고 8일 밝혔다.

HGST의 신기술을 적용한 PCle 기기는 대기 환경에서 초당 512 바이트에 300만 IOPS, 비대기환경에서는 랜덤 지연율이 1.5마이크로초에 불과하며, 이는 기존 SSD 아키텍처와 낸드플래시로는 달성하기 어려웠던 성과로서 기존 플래시 기반 SSD 대비 수십 배 이상 빠른 속도와 새로운 블록 스토리지를 구현할 수 있다고 HGST는 설명했다.

이에 대해 HGST의 스티브 캠벨 최고기술책임자(CTO)는 “새로운 인터페이스 프로토콜과 차세대 비휘발성 메모리를 결합해 업계 최고의 성능을 구현해냄은 물론 HGST가 고객사와 함께 연구해온 새로운 소프트웨어, 시스템 아키텍처 개발에 탄력을 얻었다”고 자평했다.

SSD에 사용되는 메모리는 1GB 용량의 PCM(Phase Change Memory) 콤포넌트다. PCM은 낸드플래시 대비 훨씬 빠른 읽기 액세스 타임을 지원하는 고밀도 비휘발성 메모리의 한 종류다.

HGST는 이 같은 새로운 메모리 기술을 서버와 소프트웨어 어플리케이션에 최적화하기 위해, 지연율을 낮춘 인터페이스 아키텍처를 개발해 왔다. HGST는 컨트롤러 기술에 1GB 용량의 45nm PCM 칩들을 통합해 기존 PCIe Gen 2x4 SSD 카드와 동일한 크기의 원형을 개발했다.

HGST는 캘리포니아주립대 샌디에이고 캠퍼스(The University of California, San Diego) 연구원들과 공동으로 새로운 통신 프로토콜을 개발해, 지연 시간을 1us까지 낮췄다. 새로운 인터페이스 프로토콜은 올해 초 ‘2014 Usenix FAST(File and Storage Technologies)’ 회의에서 첫 선을 보인 바 있다.

HGST 연구소의 스토리지 아키텍처 담당자인 즈보니미르 반딕 박사는 “300만 IOPS 속도도 놀라운 점이지만 시연 행사에서 가장 눈길을 끄는 요소는, 소규모 블록의 랜덤 읽기 모드에서 지연 시간을 1us까지 낮췄다는 사실”이라며 “이는 낸드플래시와 현존하는 컨트롤러, 인터페이스 기술로는 절대 불가능한 성과”라고 강조했다.


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