삼성전자 꿈의 20나노 D랩 양산돌입

세계 최초 양산체제 구축

세계 최대 화성에 16라인

다양한 제품군 경쟁력 ‘업’

日·대만과 격차 더욱 확대

독보적 기술력·생산성 확보

내년엔 10나노급 생산 전망

차세대 반도체 개발도 앞장 삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 또 세계 반도체업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작했다.

삼성전자는 이로써 메모리 선두업체로서 위상을 강화하는 한편, 장기적으로는 글로벌 IT시장을 지속 성장시키며 한 단계 더 도약하기 위한 발판을 마련했다.

일본ㆍ대만 등 경쟁사들과의 격차를 더욱 벌려 지배력을 강화할 수 있게 됐다. 삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램ㆍ플래시 양산’ 행사를 개최했다.

이날 행사에는 이건희 삼성전자 회장을 비롯해 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장 등 글로벌 IT업체 관계자 500여명이 참석했다.

▶메모리반도체 독보적 기반 굳혔다=이날 삼성전자가 가동한 메모리반도체 16라인은 지난해 5월에 착공해 1년3개월 만에 ‘출발음’을 울렸다. 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장)이 약 6만평이다. 웬만한 대학 캠퍼스의 3배 규모다. 건물도 12층으로, 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다. 삼성은 이 라인을 지난 6월 시범가동했고 8월 양산체제를 갖췄다.

삼성전자 관계자는 “라인이 크다는 것은 그만큼 다양한 제품을 만들 수 있고 고객의 다양한 니즈에 금방 대응할 수 있다는 것”이라며 “글로벌 메모리반도체 시장 경쟁이 치열하게 전개되고 있는데, 삼성은 경쟁사와 상관없이 독보적인 선두업체 기반을 마련했다는 데 의미가 크다”고 말했다.

삼성의 반도체 공격경영은 글로벌 경영환경 악화와 맞서는 위기극복 경영의 의지로 풀이된다. 이는 이건희 삼성 회장의 강력한 의중과 맞물려 있다.

이 회장은 지난해 5월 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼으면서 경영복귀 이후 적극적 행보를 펼친 데 이어, 이날 가동식까지 참석함으로써 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 표시했다.

이 회장은 “D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다”고 강조해 왔다.

▶반도체 역사 새로 썼다=삼성전자는 가동식을 계기로 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산에 돌입했다. 이는 ‘새로운 반도체 역사’로 평가된다.

20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다. 이 같은 획기적인 제품으로 삼성은 일본ㆍ대만의 후발업체들을 기술력, 생산성 측면에서 멀찌감치 따돌릴 수 있게 됐다.

삼성전자는 올해 말 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격 양산키로 했다. 또 향후 엔터프라이즈 서버 시장을 시작으로 범용 노트북 시장까지 다양한 IT 시장에서 고객에게 가치를 제공하는 그린 메모리의 비중을 지속적으로 확대해 나갈 예정이다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

김영상 기자 /ysk@heraldm.com