美서 차세대 V낸드 솔루션 공개 데이터 저장 ‘3차원 셀’ 용량 2배 단품 패키지기준 2TB 구현 가능

삼성전자가 반도체 업계 최초로 ‘1테라비트(Tb) V낸드’를 선보이며 또 한번 앞서간다. 고객들의 숙원인 ‘저장 공간’을 획기적으로 늘린 제품도 대거 선보였다. 슈퍼 사이클에 올라탄 반도체 시장에 선제적으로 대응하겠다는 의미도 담겨있다.

삼성전자는 8일(미국 현지시각) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)’에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다.

이번 행사에서 공개된 제품 가운데 가장 눈에 띄는 것은 세계 최대 용량의 ‘1테라비트(Tb) V낸드’ 제품이다. 이 제품은 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’ 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘렸다. 경쟁사인 미국의 마이크론과 도시바 등은 아직 개발단계다. ‘1Tb V낸드’ 칩을 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2테라바이트(TB)를 만들 수 있다. 삼성전자는 ‘1Tb V낸드’가 적용된 세계 최대용량의 SSD 제품을 2018년부터 판매할 예정이다.

삼성전자는 “SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있는 제품”이라고 설명했다. V낸드는 3차원 수직 구조로 회로를 쌓아 집적도를 향상시킨 플래시 메모리 기술로, 휴대전화 저장장치 등에 사용된다.

삼성전자는 신규 SSD규격(NGSFF SSD)도 선보였다. 이 제품을 서버에 적용할 경우 같은 크기의 서버 내에 저장용량은 4배로 늘어나게 된다. ‘4차 산업혁명’이 시대적 화두로 떠오른 이후 서버 대형화 추세가 이어지고 있는데, 동일 공간에 더 많은 저장용량을 갖추는 것은 페이스북 등 글로벌 ICT 기업들의 숙원이다. 물리적 공간이 곧 비용이기 때문이다.

삼성전자는 16테라바이트(TB) ‘NGSFF SSD’ 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했다. 2U 시스템으로는 1PB(페타바이트)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다. ‘NGSFF SSD’는 4분기부터 양산이 시작된다. 삼성전자는 “내년 1분기에 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 표준화를 완료할 예정”이라고 말했다.

삼성전자는 ‘Z-SSD’ 제품도 선보였다. 이 제품은 동작회로를 최적화해 성능을 고도화한 하이엔드 SSD제품이다. 기존 제품(NVMe SSD) 대비 읽기 응답속도가 7배 빠르다. 비교적 단순 작업인 ‘읽기와 쓰기’ 시스템 환경에서는 최대 12배 빠른 응답속도 구현이 가능하다.

삼성전자는 “실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 ‘Z-SSD’가 최적의 솔루션이 될 것”이라 자신했다.

비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 ‘키 밸류(Key Value) SSD’도 전시됐다. 기존 SSD는 다양한 종류, 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장했지만, ‘Key Value SSD’ 기술이 적용되면 ‘변환 과정’을 생략할 수 있다. 단계가 없어지는 만큼 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고, SSD의 수명도 향상시킬 수 있다.

삼성전자 진교영 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화하고 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

플래시 메모리 서밋은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계의 콘퍼런스로 올해는 8월 8일부터 10일까지 열린다.

홍석희 기자/