삼성전자가 업계 처음으로 ‘3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극)’ 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 개발했다. ‘3D-TSV’ 기술은 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법으로, 속도와 용량 등 반도체 성능을 한층 향상시킬 수 있다.


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