-총 70억弗 투자해 차세대 10나노급 낸드 플래시 생산

［시안=박영서 특파원］삼성전자가 중국 산시(陝西)성 시안(西安)시 고신공업개발구에서 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했다.

삼성전자는 12일 중국정부를 대표한 자오러지(趙樂際)) 산시성 서기, 한국정부를 대표한 이규형 주중대사와 지경부 윤상직 차관 그리고 권오현 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 ‘삼성중국 반도체’ 생산단지 건설을 알리는 기공식 행사를 가졌다.

이 날 행사에서 리커창(李克强) 중국 국무원 부총리는 축하서신을 통해 “이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과”라고 말했다.

또한 권오현 삼성전자 대표이사는 환영사에서 “한중 수교 20주년을 맞아 첨단과학과 교육의 도시인 시안에서 기공식을 갖게 되어 영광“이라며 ”삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며 향후에도 ‘삼성중국반도체’를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것이다“고 강조했다.

삼성전자의 시안공장은 초기 투자금액 23억달러, 총 투자규모 70억달러로 오는 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산할 계획이다. 이번 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모다.

시안은 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시로 꼽힌다. 또한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고 글로벌 IT기업의 생산 중심지 및 연구 거점으로 성장하고 있으며 37개의 대학교와 3000여개의 연구 기관이 있어 우수인재 확보에도 용이한 지역이다.

삼성전자는 지난해 경기도 화성에 16라인을 준공한지 1년만에 중국 시안에 생산라인 건설에 착수함으로써 국내·외 균형있는 투자를 지속하고 있다. 이번 삼성전자의 중국 진출은 미국 오스틴 공장에 이은 두번째 해외진출이다.

글로벌 IT 기업들의 주요 거점이자 최대 시장인 중국과 미국에 생산단지를 구축한 삼성전자는 향후 안정적인 생산체계 구축으로 시장변화에 보다 빠르게 대응할 수 있을 것으로 기대된다.