삼성전자가 조만간 세계 최초로 3나노미터(㎚·10억분의 1ｍ) 양산 공정을 본격화할 예정인 것으로 알려졌다. 글로벌 1위 파운드리(반도체 칩 위탁생산) 기업인 TSMC보다 한발 앞선 승부수다. 최첨단 칩 제조 기술 구현으로 이재용 삼성전자 부회장의 ‘초격차 기술’ 경영에도 한층 탄력이 붙을 전망이다.

22일 삼성전자 관계자는 3나노 공정 양산 일정과 관련해 “올해 상반기 중 양산하기로 했던 3나노 관련 계획은 예정대로 차질 없이 진행되고 있다”고 밝혔다. 사실상 이달 안에 3나노 양산이 계획대로 실현될 수 있는 셈이다.

앞서 삼성전자는 올해 1분기 콘퍼런스콜 당시 “(2분기에) 파운드리는 3나노 공정을 세계 최초로 양산해 기술 리더십을 제고하는 한편, 미주와 유럽 등 글로벌 고객사 공급 확대에 주력하겠다”고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 차세대 게이트올어라운드(GAA) 기술을 기반으로 3나노 반도체 공정 작업을 진행 중이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이면서 소비전력은 감소시키고 성능을 높인 신기술이다. 특히 지난달 20일 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택캠퍼스를 방문했을 때 GAA 기반 3나노 시제품에 윤석열 대통령과 서명하며 화제가 된 바 있다.

앞서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시한 바 있다.

삼성전자가 3나노 양산을 통해 TSMC보다 앞선 기술력 확보를 증명하면서, 파운드리 업계에도 지각변동이 일어날 것으로 업계는 내다보고 있다. 최근 파운드리 시장에서 삼성전자는 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어졌다는 조사결과가 발표된 가운데, 삼성이 새로운 전기를 마련할지도 주목된다. 업계에선 삼성의 3나노 양산이 TSMC의 아성을 무너뜨릴 교두보가 될 것이란 관측이 제기된다.

이를 바탕으로 이 부회장의 초격차 경영에도 속도가 붙을 전망이다. 최근 이 부회장은 유럽 출장길에 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 언급하며 불확실한 환경을 ‘기술 경영’으로 뚫고 나갈 의지를 천명한 바 있다.

김지헌 기자


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