삼성, 세계 첫 12나노급 D램 개발

삼성전자가 세계 최초로 12나노급 공정이 적용된 더블데이터레이트(DDR)5 D램을 개발, 내년부터 양산에 나선다. 내년 상반기에 최악의 ‘반도체 한파’가 닥칠 것으로 예상되지만 공격적 투자 및 기술 혁신을 통해 초격차를 이어나간다는 방침이다. ▶관련기사 10면

삼성전자는 업계 최초의 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 12나노급 공정이란, 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 지난해 10월 업계 최선단 14나노 EUV DDR5 D램을 양산한 데 이어 또 한 번 미세 공정 한계를 극복했다는 평가다.

이번 12나노급 D램은 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높였다. 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단 공정을 완성했다는 설명이다.

또한 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 멀티레이어 EUV(극자외선·Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용, 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다.

삼성전자는 12나노급 D램을 2023년부터 양산하고 성능과 전력 효율 개선을 통해 라인업을 확대해 나갈 계획이다. 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급한다. 또한 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램시장을 견인해나간다는 방침이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다. 김민지 기자