삼성전자 차세대 반도체 ‘HBM’ 내년 양산

정보저장 용량·처리속도 ‘업’…확실한 기술력으로 인텔 견제

삼성전자가 기존보다 정보저장 용량과 처리 속도를 크게 높인 ‘차세대 초고속 메모리 반도체’의 양산을 준비하고 있는 것으로 확인됐다. 여러 층의 메모리를 아파트처럼 쌓아올려 초고성능 그래픽카드(GPU) 구현에 최적화 한 ‘고대역폭 메모리’(HBMㆍHigh Bandwidth Memory)와 현재 주력인 ‘DDR4 D램’보다 동작속도가 2배가량 빠른 ‘DDR5 D램’(가칭)이 그 주인공이다.

업계는 삼성전자의 이런 행보를 “최근 31년 만에 D램 시장 재진출을 선언한 인텔에 대응해 기술력 경쟁에 돌입한 것”으로 풀이했다. 업계 한 관계자는 “HBM 등 차세대 메모리 시장은 아직 본격적으로 개화하지 않은 상태”라며 “메모리 반도체 분야 세계 1위 주자인 삼성전자가 본격적으로 움직인다면 현재 포화상태에 이른 D램 시장의 지각변동이 더욱 빨리 시작될 것”이라고 내다봤다.

26일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 미국 샌프란시스코에서 열린 인텔개발자포럼 2015(IDF 2015)에 메인 스폰서 자격으로 참가해 “차세대 메모리 반도체 중 하나로 꼽히는 HBM을 오는 2016년 1분기부터 양산할 계획”이라고 로드맵을 공개했다. 이어 삼성전자는 “현재 주력 생산하고 있는 DDR4 D램의 후속으로 DDR5 D램의 시제품을 2018년까지 완성할 것”이라고 밝혔다.

HBM은 D램에 수백여개의 미세공(孔)을 뚫어 칩을 전기적으로 연결하는 ‘실리콘관통전극’(TSV) 기술을 사용, 여러 개의 메모리를 수직으로 쌓아올린 이른바 ‘3차원(D) 적층 반도체’다. 이렇게 하면 정보처리 속도와 저장밀도가 획기적으로 높아져 기존 그래픽카드용(GDDR) D램에서는 구현하기 어려웠던 초고해상도 3D 콘텐츠도 얼마든지 실행이 가능해진다.

업계 한 전문가는 “최근 중앙처리장치(CPU)와 GPU의 성능이 빠르게 발전하고 있어 그 차이를 메우려면 메모리 반도체의 진화가 시급한 상황”이라며 “삼성전자가 3차원 수직구조(VㆍVertical) 낸드플래시 등을 양산하며 메모리 반도체 적층 기술을 충분히 축적한 만큼, 시장의 수요에 맞춰 HBM의 양산을 곧 개시할 가능성이 크다”고 설명했다.

특히 삼성전자가 현재 개발하고 있는 HBM은 업계 기준 2세대 성능을 갖춘 제품으로, 지난 2013년 SK하이닉스가 업계 최초로 선보인 1세대 HBM보다 성능이 더욱 뛰어난 것으로 알려졌다. 양산 예정인 HBM의 종류는 각각 2단(2기가바이트ㆍGB 용량), 4단(4GB 용량), 8단(8GB 용량) 등 3개 적층 모델이 될 전망이다.

이슬기 기자 /.