KAIST, 저온서 반도체 손상없이 쌓는 제조기술 확보

수백도의 고온이 필요했던 반도체 성장 공정을 150℃로 낮춰 2차원 소재 위에 반도체를 손상없이 쌓을 수 있는 기술이 개발됐다. KAIST는 생명화학공학과 서준기(오른쪽 세 번째) 교수 연구팀이 한양대 송봉근 교수 연구팀, 미국 라이스대 이모 한 교수 연구팀과 공동으로 원자층증착법을 이용한 새로운 반도체 제조기술을 개발했다고 27일 밝혔다. 연구팀이 주목한 것은 2차원 반도체 소재로 각광받는 반데르발스다. 서로 다른 소재를 자유롭게 겹칠 수 있어 차세대 AI 반도체와 초저전력 반도체의 핵심 소재로 주목받고 있다.

하지만 표면이 매우 안정적이어서 새로운 반도체를 원하는 방향으로 가지런히 성장시키기 어려웠다. 특히 온도를 낮추면 원자들이 여기저기 흩어져 자라기 때문에 성능이 좋은 반도체를 만들기 쉽지 않았다. 연구팀은 차세대 반도체 소재로 주목받는 텔루륨(Te)을 포함한 전구체가 표면을 자유롭게 이동하며 가장 안정한 위치를 스스로 찾아 박막을 이루도록 하는 새로운 방법을 개발했다. 구본혁 기자