［헤럴드경제=홍길용 기자］삼성전자와 SK하이닉스가 내년 D램 생산량을 일부 늘리지만 수익성에는 영향을 미치지 않을 것으로 분석됐다.

12일 반도체 전자상거래사이트 디램익스체인지 보고서와 반도체 업계의 소식을 종합하면 삼성전자는 내년부터 화성사업장에 증설한 17라인 일부에서 D램을 생산한다. 17라인은 애초 시스템반도체 생산을 위해 설계됐으나 D램 물량도 일부 할당됐다. 디램익스체인지와 골드만삭스의 추정으로 17라인의 월간 반도체 웨이퍼 생산량은 내년 초 1만장, 내년 말쯤에는 4만장 정도다.

SK하이닉스도 이천 공장에 세 군데로 분산돼 있는 M10 라인을 내년 중 M14 라인으로 통합할 계획이다. M14 라인은 300㎜ 웨이퍼 공장으로 내년 중반 무렵 양산 체제에 들어갈 것으로 보인다.

삼성, 하이닉스와 함께 과점 체제를 이룬 미국 마이크론은 내년에 뚜렷한 라인 증설 계획이 없다.

올해 2분기 글로벌 D램 시장 점유율(금액기준)은 삼성전자 39.1%, 하이닉스 27.4%, 마이크론 25.2%로 세 업체가 시장의 91.7%를 장악하고 있다.

디램익스체인지는 보고서에서 “삼성의 경우 17라인에서 증산되는 물량이 있겠지만 기존 팹(생산라인)에서 줄어드는 물량도 있기 때문에 연간 전체적으로 보면 생산량에 큰 차이가 없을 것”이라며 “D램 가격 구조는 안정적일 것”이라고 관측했다.

삼성전자 백지호 상무도 지난 2분기 기업설명회(IR)에서 “D램은 전 응용처에 걸쳐 견조한 수요를 유지할 것”이라며 “PC, 서버, 그래픽 등 다양한 수요 증가에 탄력적으로 대응해야 한다”고 말했다.

반도체 업계 관계자는 “월 4만∼6만장의 웨이퍼 증산이 이뤄지더라도 전반적으로 수요가 증가할 것이기 때문에 다시는 치킨 게임 양상이 재연되지 않을 것”이라고내다봤다.

한편 반도체 생산성의 척도인 나노공정 미세화는 20나노미터 전반대 진입을 앞두고 각 업체가 어려움을 겪을 것으로 전망됐다. 디램익스체인지는 “20나노미터대의 생산 비중이 점차 올라가겠지만 더 진일보한 생산 프로세스는 과거의 기술보다 훨씬 복잡해 25나노미터에서 21나노미터로의 공정 전환은 매우 더디게 진행될 것”이라고 조망했다.

이에따라 SK하이닉스는 내년에도 25나노미터 공정이 주력일 것으로 디램익스체인지는 전망했다. 30나노미터대 공정에 머물러 있는 마이크론도 대만의 소규모 자회사 이노테라와 모바일 D램을 생산하는 일본 히로시마 팹 정도만 내년에 20나노미터대로 공정이 이뤄질 것으로 예상했다.

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