삼성전자, ASML과 ‘차세대 노광장비’ 투자 논의

삼성전자가 네덜란드 반도체 장비업체 ASML과 차세대 노광 장비 개발 투자를 논의한 것으로 알려졌다. 2030년 시스템반도체 1위를 목표로 한 삼성전자가 ASML과 기술동맹 승부수를 던진 것으로 풀이된다.

30일 반도체 업계에 따르면, 삼성전자는 ASML의 차세대 노광기술인 High-NA(High-Numerical Aperture·고개구수·高開口數) EUV(극자외선) 장비 개발에 추가 투자를 검토 중인 것으로 알려졌다. 투자금액은 기존대비 두배 가량으로, 투자가 이뤄지면 업계에서는 수조원 단위가 될 것으로 보고 있다. ▶관련기사 13면

High-NA 장비는 기존 EUV 장비의 성능과 안정성을 끌어올린 차세대 노광장비다. 노광이란 반도체 웨이퍼 원판 위로 빛을 쪼여 회로 패턴을 새기는 포토 공정으로 반도체 제조의 핵심 공정이다.

이번 논의를 위해 피터 버닝크 최고경영자(CEO) 등 ASML 수뇌부는 지난주 삼성전자 반도체 사업장을 찾았다.

반도체 업계 관계자는 “삼성전자는 ASML의 차세대 노광기 개발에 기존보다 두 배 투자를 검토 중인 것으로 안다”며 “이번 투자를 통해 추후 삼성전자가 초미세공정에 필수인 첨단 노광기기 조달에 유리한 고지를 점할 수 있을 것”이라고 말했다.

지난주 양사 회동에는 김기남 삼성전자 부회장 등 삼성 반도체 핵심 경영진이 배석했다. 이재용 부회장은 불참했다.

삼성전자가 투자를 검토 중인 ‘High-NA’는 반도체 노광 공정에서 빛의 왜곡을 최소화해 회로를 더욱 선명하고 미세하게 찍어내는 기술이다. ASML은 2023년 중반 High-NA를 구현한 장비 시제품을 공개한다는 계획이다.

‘High-NA’ 장비는 대당 5000억원 수준이다. 기존 EUV 장비가 대당 2000억원 수준임을 감안하면 배 이상 비싸다. ASML은 ‘High-NA’의 천문학적인 개발 비용 때문에 그동안 반도체 제조사에 투자 요청을 해온 것으로 알려졌다.

삼성전자 관계자는 이에 대해 “지난주 ASML 경영진과 삼성 경영진이 만난 것은 맞다”면서도 “지난 10월 이 부회장이 ASML 본사를 방문한 것에 대한 답방 차원으로, 양사간 전반적인 기술 협력을 논의했을 뿐 구체적인 투자 결정은 없었다”고 말했다. 천예선 기자