SK실트론, GaN 시장 진출…英 IQE와 전략적 협약

[헤럴드경제=문영규 기자] SK실트론이 글로벌 에피택셜 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)를 맺고 전력 반도체 소재 등으로 쓰이는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 시장에 본격 진출한다고 11일 밝혔다.

SK실트론은 IQE와 지난 6일 구미 본사에서 협약식을 진행하고 맞춤형 GaN 웨이퍼 공동개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력하기로 했다.

GaN 웨이퍼는 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 최근 수요가 증가하고 있으며 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높다. 급속 충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5G(세대) 기반 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용된다. 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만든다.

글로벌 실리콘 웨이퍼 시장 3위인 SK실트론은 이번 신사업 진출로 기존 사업과 함께 첨단 반도체 소재로 사업을 확장함으로써 미래 성장동력을 강화한다는 전략이다.

장용호 SK실트론 사장은 “첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다”며 “IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다”고 말했다.

아메리코 레모스 IQE 최고경영자(CEO)는 “IQE의 GaN 웨이퍼 제조기술과 SK실트론의 Si·SiC 웨이퍼 역량의 시너지를 통해 혁신적인 솔루션을 출시할 것”이라며 “아시아 시장 확장은 IQE의 핵심 과제로 첨단소재 분야에서 세계적으로 인정받는 선두기업과 협력하게 돼 기쁘다”고 했다.