바이든 대통령 서명 때 깜짝 공개된 삼성 ‘그 기술’…곧 세상에 나온다

[헤럴드경제=김지헌 기자] 삼성전자가 조만간 세계 최초로 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 양산 공정을 본격화할 예정인 것으로 알려졌다. 글로벌 1위 파운드리(반도체 칩 위탁생산) 기업인 TSMC보다 한발 앞선 승부수다. 최첨단 칩 제조 기술 구현으로 이재용 삼성전자 부회장의 ‘초격차 기술’ 경영에도 한층 탄력이 붙을 전망이다.

22일 삼성전자 관계자는 3나노 공정 양산 일정과 관련 “올해 상반기 중 양산하기로 했던 3나노 관련 계획은 예정대로 차질 없이 진행되고 있다”고 밝혔다. 사실상 이달 안에 3나노 양산이 계획대로 실현될 수 있는 셈이다.

앞서 삼성전자는 올해 1분기 콘퍼런스콜 당시 “(2분기에) 파운드리는 3나노 공정을 세계 최초로 양산해 기술 리더십을 제고하는 한편, 미주와 유럽 등 글로벌 고객사 공급 확대에 주력하겠다”고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 차세대 게이트올어라운드(GAA) 기술을 기반으로 3나노 반도체 공정 작업을 진행 중이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이면서 소비전력은 감소시키고 성능을 높인 신기술이다.

특히 지난달 20일 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택캠퍼스를 방문했을 때 GAA 기반 3나노 시제품에 윤석열 대통령과 서명하며 화제가 된 바 있다.

앞서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시한 바 있다. 경쟁사인 TSMC는 올해 하반기에 3나노 반도체를 양산할 계획이라고 전했다.

삼성전자가 3나노 양산을 통해 TSMC보다 앞선 기술력 확보를 증명하면서, 파운드리 업계에도 지각변동이 일어날 것으로 업계는 내다보고 있다. 최근 파운드리 시장에서 삼성전자는 TSMC와 점유율 격차가 더 벌어졌다는 조사결과가 발표된 가운데, 삼성이 새로운 전기를 마련할지도 주목된다.

대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 시장 점유율은 지난해 4분기 18.3%에서 올해 1분기 16.3%로, 2%포인트 가량 하락했다. 반면 TSMC는 같은 기간 시장 점유율이 52.1%에서 53.6%로 증가했다. 지난해 4분기에 33.8%포인트 수준이던 두 회사의 점유율 격차가 올해 1분기 37.3%포인트로 더 벌어진 것이다.

업계에선 삼성의 3나노 양산이 TSMC의 아성을 무너뜨릴 교두보가 될 것이란 관측이 제기된다.

이를 바탕으로 이 부회장의 초격차 경영에도 속도가 붙을 전망이다. 최근 이 부회장은 유럽 출장길에 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라고 언급하며 불확실한 환경을 ‘기술 경영’으로 뚫고 나갈 의지를 천명한 바 있다.

3나노 양산을 발판으로 2030년까지 글로벌 파운드리 1위를 목표로 한 ‘시스템반도체 비전 2030’ 역시 탄력을 받을 것으로 전망된다.