연초 이후 134%·1년 393%
HBM 넘어 글로벌 메모리주 상승세 수혜
[헤럴드경제=김유진 기자] 한화자산운용의 ‘PLUS 글로벌HBM반도체’ 상장지수펀드(ETF)가 올해 들어 해외주식형 펀드·ETF 가운데 단기와 중장기 수익률에서 일제히 선두를 기록했다.
26일 금융정보업체 Fn가이드에 따르면 지난 24일 기준 ‘PLUS 글로벌HBM반도체’ ETF의 연초 이후 수익률은 134.16%로 해외주식형 펀드와 ETF 가운데 가장 높은 것으로 나타났다. 최근 1년 수익률은 393.01%, 2년 444.33%, 3년 666.96%로 각 기간 모두 1위를 차지했다.
‘PLUS 글로벌HBM반도체’ ETF는 2022년 9월 상장한 이후 특정 시기의 반도체주 상승에 따른 단기 성과에 그치지 않고 1년부터 3년에 이르는 장기 구간에서도 수익률 선두를 유지했다. 인공지능(AI)·고대역폭메모리(HBM)이라는 단기 테마뿐 아니라 글로벌 메모리 산업의 성장 흐름을 장기간 포착한 결과다.
해당 ETF는 AI 시대 핵심 인프라인 HBM을 비롯해 글로벌 메모리 반도체 산업의 성장에 집중 투자하며 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론, 샌디스크 등 글로벌 메모리 반도체 핵심 기업을 중심으로 포트폴리오를 구성했다. 글로벌 반도체 장비 및 관련 밸류체인 기업에도 투자한다.
최근 글로벌 메모리 반도체 기업들이 배당 확대와 자사주 매입·소각 등을 앞세운 주주환원 정책을 강화하고 있다는 점은 해당 상품에 긍정적이다. 최소 배당을 보장하거나 중장기 누적 이익을 기준으로 한 ‘룰 기반’ 주주환원 정책이 확산되면 현금 흐름에 대한 예측 가능성이 커져 주가 재평가(리레이팅)를 기대할 수 있다.
AI발 메모리 호황도 HBM을 넘어 서버용 메모리와 기업용 SSD 등 메모리 전반으로 확산하면서 관련 업종 수익률을 견인 중이다. 시장조사업체 트렌드포스는 25일 주요 글로벌 클라우드 서비스 사업자(CSP)의 설비투자에서 DRAM과 낸드플래시가 차지하는 비중이 올해 47%에서 2027년 68%까지 높아질 것으로 전망했다.
금정섭 한화자산운용 ETF사업본부장은 “AI 투자가 확대되면서 HBM을 넘어 D램과 낸드 등 메모리 전반의 수요 구조가 변화하고 있다”며 “‘PLUS 글로벌HBM반도체’ ETF는 글로벌 메모리 시장을 주도하는 핵심 기업에 집중 투자함으로써 이러한 산업의 구조적 성장에 효과적으로 투자할 수 있도록 설계한 상품”이라고 말했다.
이어 “상장 이후 운용 기간 4년차로 해외주식형 전체에서 기간별 성과 4관왕을 기록한 것은 시장의 니즈에 부합하는 포트폴리오로 운용되어 왔고 단기적인 주가 상승을 넘어 글로벌 메모리 산업의 성장에 집중한 투자 전략이 장기간 성과로 이어지고 있다”고 덧붙였다.
kacew@heraldcorp.com
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