쓰기·읽기 성능 각각 30%·25% 향상 그룹 편입후 R&D 10조 투자 결실

SK하이닉스가 세계 최초로 96단 4차원(4D) 낸드플래시 개발에 성공하고 연내 첫 양산에 돌입한다.

낸드 업계 4위인 SK하이닉스가 강자들과의 기술격차를 좁히고 중국 업체의 맹추격을 따돌린다는 전략이다.

SK하이닉스는 4D 낸드 구조의 96단 512Gb(기가비트) TLC 낸드플래시 개발에 성공해 연내 초도 양산에 진입한다. 512Gb 낸드는 칩 하나로 64GB(기가바이트)의 고용량 저장장치 구현이 가능한 고부가가치 제품이다.

4D 낸드는 기존 3D낸드 플래시보다 한단계 진화한 것으로, 3D 낸드에 적용되는 CTF(Charge Trap Flash) 구조에 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 것을 말한다.

통상 낸드 제조사들이 셀의 작동을 관장하는 주변부(Peri) 회로를 셀 옆에 두는 것과 달리 SK하이닉스는 주변부 회로를 셀 아래 배치한 것이 특징이다.

이 제품은 72단 512Gb 3D 낸드보다 칩 사이즈는 30% 이상 줄었고, 웨이퍼당 비트(bit) 생산은 1.5배 늘었다. 제품의 쓰기와 읽기 성능도 높여 기존 72단 제품보다 각각 30%, 25% 향상됐다. 기존 3D 낸드 대비 4D 낸드의 장점인 작은 칩 사이즈를 활용해 스마트폰용 모바일 패키지에 탑재 가능하도록 개발했다.

지난 8월 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋(FMS)’에서 4D 낸드 기반 차세대 낸드플래시 출시 계획을 밝힌 SK하이닉스는 96단 512Gb 4D 낸드를 탑재한 최대 1TByte(테라바이트) 용량의 소비자용 SSD를 연내 선보일 계획이다.

휴렛팩커드와 마이크로소프트 등 대형고객의 인증을 마치고 사업을 본격화하고 있는 72단 기반 기업용 SSD도 내년에 96단으로 전환해 기업용 SSD 사업 및 경쟁력을 한층 강화할 전망이다.

이번 96단 4D낸드 개발 성공은 SK하이닉스가 집중해온 낸드 경쟁력 강화의 결실로 평가된다

SK하이닉스는 2012년 SK그룹에 편입 이후 연구개발(R&D)에만 10조원 이상을 집행했다.

또 낸드플래시의 성능을 좌우하는 컨트롤러 개발 역량을 확보하기 위해 2012년 미국의 LAMD 및 이탈리아의 아이디어플래시, 2013년 대만의 이노스터 컨트롤러 사업부, 2014년 벨라루스의 소프텍 등을 인수하기도 했다.

김정태 SK하이닉스 낸드 마케팅 담당 상무는 “향후 개발 플랫폼이 될 CTF 기반 96단 4D 제품은 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 동시에 갖춘 SK하이닉스 낸드플래시 사업의 이정표가 될 것”이라고 말했다.

천예선 기자/cheon@herladcorp.com


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